自组装种子层赋能石墨烯上高-$\kappa$ 电介质的可靠性与均匀性定量提升
材料科学
2013-02-12 v1
摘要
只有在具备可靠的超薄高- 顶栅电介质的情况下，石墨烯在集成电路中的全部潜力才能得以实现。在此，我们报告了关于石墨烯上电介质击穿特性的首次统计分析，这使得能够同时优化栅电容以及描述大面积均匀性和介电强度的关键参数。特别是，通过原子层沉积生长并由分子级薄的苝 -3,4,9,10-四甲酸二酐有机单层作为种子层的垂直非均匀且横向均匀的 Al2O3 和 HfO2 堆叠，表现出高均匀性（Weibull 形状参数 ）和大击穿强度（Weibull 尺度参数 MV/cm），这与在 Si 衬底上生长的对照电介质相当。
引用
@article{arxiv.1302.2263,
title = {Quantitatively Enhanced Reliability and Uniformity of High-{\kappa} Dielectrics on Graphene Enabled by Self-Assembled Seeding Layers},
author = {Vinod K. Sangwan and Deep Jariwala and Stephen A. Filippone and Hunter J. Karmel and James E. Johns and Justice M. P. Alaboson and Tobin J. Marks and Lincoln J. Lauhon and Mark C. Hersam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.2263},
year = {2013}
}