利用HfCl4和H2O在石墨烯上原子层沉积HfO2
材料科学
2018-02-14 v1
摘要
研究了利用HfCl4和H2O在未修饰的石墨烯上原子层沉积超薄HfO2。在180摄氏度下生长的30纳米厚非晶态二氧化铪薄膜，其表面均方根粗糙度低至0.5纳米。HfO2的沉积也采用了两步温度工艺，即在170摄氏度下初始生长约1纳米，然后在300摄氏度下继续生长至10-30纳米。该工艺生成了均匀的单斜晶系HfO2薄膜，对于10-12纳米厚的薄膜，其均方根粗糙度为1.7纳米，对于30纳米厚的薄膜则为2.5纳米。拉曼光谱研究揭示，沉积过程在石墨烯中引起了压缩双轴应变，但没有产生额外的缺陷。沉积在双层石墨烯上的11纳米厚HfO2薄膜，在狄拉克点处使电子迁移率降低不到10%，而在远离狄拉克点处则降低了30-40%。
引用
@article{arxiv.1005.1469,
title = {Atomic layer deposition of HfO2 on graphene from HfCl4 and H20},
author = {Harry Alles and Jaan Aarik and Aleks Aidla and Aurelien Fay and Jekaterina Kozlova and Ahti Niilisk and Martti Pärs and Mihkel Rähn and Maciej Wiesner and Pertti Hakonen and Väino Sammelselg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.1469},
year = {2018}
}
备注
4 figures, accepted by CEJP