缺氧氧化铪薄膜中碳化铪的形成
材料科学
2016-06-28 v1
摘要
本文报道了在含有碳氧化物吸附物污染的严重缺氧氧化铪（hafnia, HfO）薄膜上，在低至 600 {\deg}C 的真空退火过程中表面形成碳化铪（HfC）的现象。利用 X 射线光电子能谱，原位监测了 HfC 表面层从绝缘态向金属态转变的演化过程。相比之下，在相同条件下制备和测量的完全化学计量的 HfO 薄膜中，未检测到 HfC 的形成，这表明缺氧薄膜对碳氧化物的增强吸附为碳化物的形成提供了碳源。这表明，在碳污染的氧化铪中，高浓度的氧空位显著降低了碳化铪的形成能。因此，在阻变随机存取存储器器件中，若存在足量的残余碳，可能会由于焦耳热效应在导电细丝内发生类似的碳化物形成过程。
引用
@article{arxiv.1606.08227,
title = {Hafnium carbide formation in oxygen deficient hafnium oxide thin films},
author = {C. Rodenbücher and E. Hildebrandt and K. Szot and S. U. Sharath and J. Kurian and P. Komissinskiy and U. Breuer and R. Waser and L. Alff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.08227},
year = {2016}
}