通过固相反应制备 hafnium 氧化硅介电层用于作为栅氧化物
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
通过固相反应将 Hf 金属和 SiO2 反应形成 hafnium 氧化硅薄膜 (HfSixOy) 以用于具有大介电常数的栅氧化物进行了研究。可形成薄而完全反应的氧化硅薄膜，热稳定性在真空中可达 800℃以上。氧化硅层与硅基底之间的界面稳定，不会产生 SiO2 形成。结果表明，这是一种新的生产低等效氧化物厚度栅绝缘体的工艺路线。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0202328,
title = {Production of a hafnium silicate dielectric layer for use as a gate oxide by solid-state reaction},
author = {H. T. Johnson-Steigelman and A. V. Brinck and P. F. Lyman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0202328},
year = {2007}
}
备注
15 pages, 3 figures