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硅衬底上氧化铪和氧化锆的相稳定性

材料科学 2007-09-03 v1

摘要

利用第一性原理和热力学建模研究了 Hf-Si-O 和 Zr-Si-O 的相稳定性。根据获得的热力学描述,计算了与薄膜加工相关的相图。我们发现,金属硅酸盐相对于其二元氧化物的相对稳定性在硅化物形成中起着关键作用。观察到 HfO2_2/Si 和 ZrO2_2/Si 界面在宽温度范围内都是稳定的,而硅化物可能在低温下形成,部分位于 HfO2_2/Si 界面处。

关键词

引用

@article{arxiv.0708.4356,
  title  = {Phase stability of hafnium oxide and zirconium oxide on silicon substrate},
  author = {Dongwon Shin and Zi-Kui Liu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0708.4356},
  year   = {2007}
}

备注

5 pages, 3 figures