硅(001)表面上的硫化硅形成

H. T. Johnson-Steigelman; A. V. Brinck; P. F. Lyman

硅(001)表面上的硫化硅形成

材料科学 2007-05-23 v1

作者: H. T. Johnson-Steigelman , A. V. Brinck , P. F. Lyman

摘要

将约 50 nm 厚的 Hf 薄膜蒸发到裸硅(001)和氧化硅(001)样品上,并将约单层厚度的 Hf 薄膜蒸发到洁净的 Si(001)-(2x1)表面。经anneal 至 1000 $^/circ$ C,在反应时间取决于基板沉积前表面条件后,形成了 HfSi2 薄膜。利用 X射线光电子能谱对反应表面的化学状态进行表征,记录了硫化物形成时的能级位移。即使对于厚膜,低能电子衍射(LEED)仍显示出 Si 基板的 (2x1) 图样复位,这表明 HfSi2 薄膜发生了三维岛屿形成。利用 LEED 和 X射线standing wave 确认了薄膜的岛屿行为。厚膜的 LEED 图样中的 streaking 表明,岛屿形貌受到底层 Si 基板的影响。

关键词

硫化硅 Si(001) 退火 X射线光电子能谱 LEED

引用

@article{arxiv.cond-mat/0202360,
  title  = {Hafnium silicide formation on Si(001)},
  author = {H. T. Johnson-Steigelman and A. V. Brinck and P. F. Lyman},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0202360},
  year   = {2007}
}

备注

25 pages includind 5 figures

硅(001)表面上的硫化硅形成

摘要

关键词

引用

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