通过干法刻蚀在硅上合成氟硅酸铵隐晶
材料科学
2009-11-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在室温下，使用 HF:HNO3 溶液的蒸气通过干法刻蚀在硅片上生长了氟硅酸铵 (NH4)2SiF6 的隐晶层。生长的层由厚度达 8 微米的白色颗粒状晶体薄膜组成，其生长速率约为 1 微米/小时。通过 X 射线衍射分析了结晶度，表明 (NH4)2SiF6 隐晶石晶体具有等轴六八面体晶系 (4/m -32/m) 和 Fm3m 空间群。这些结果通过 FTIR 透射中 (NH4)2SiF6 物种的振动吸收带的存在得到证实。在红外 480cm-1、725cm-1、1433cm-1 和 3327cm-1 处观察到强吸收带，归属于 (NH4)2SiF6 的 N-H 和 Si-F 相关振动模式。在 150oC 以上退火导致表面形成尺寸达 20 微米的单个晶体，这表明在硅上形成具有细晶粒尺寸的固体化合物层的可能性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410606,
title = {Synthesis of ammonium silicon fluoride cryptocrystals on silicon by dry etching},
author = {Seref Kalem},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410606},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 4 figures