用于碳化硅器件的纳米叠层 Al2O3/HfO2 介质
应用物理
2021-04-29 v3 材料科学
摘要
通过等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术，在碳化硅（4H-SiC）衬底上生长了纳米叠层 Al2O3/HfO2 薄膜以及单层 Al2O3 和 HfO2 作为栅介质。所有三种介质薄膜均在低至 250{\deg}C 的温度下沉积，总厚度约为 30 nm，特别是纳米叠层 Al2O3/HfO2 薄膜是通过交替纳米级 Al2O3 和 HfO2 层制造的。我们评估了纳米叠层 Al2O3/HfO2 薄膜的结构特性和介电性能，并将其与母体 Al2O3 和 HfO2 单层进行了比较。此外，作为将其可能应用于器件制造流程的初步测试，研究了其结构特性及在 800{\deg}C 退火处理后的演变。基于收集的数据，与简单的氧化物层相比，纳米叠层薄膜表现出有前景的介电性能。
关键词
引用
@article{arxiv.2004.10988,
title = {Nanolaminated Al2O3/HfO2 dielectrics for silicon carbide based devices},
author = {Raffaella Lo Nigro and Emanuela Schilirò and Patrick Fiorenza and Fabrizio Roccaforte},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.10988},
year = {2021}
}