赝二元合金(HfO_2)_x(SiO_2)_{1-x}中的表面诱导旋节分解
材料科学
2010-09-28 v1 化学物理
摘要
采用原子层沉积法，在350°C下于硅衬底上生长了厚度为4-20 nm的Hf硅酸盐薄膜(HfO_2)_{0.25}(SiO_2)_{0.75}。利用高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、角分辨X射线光电子能谱(ARXPS)和中能离子散射(MEIS)研究了沉积态和800°C退火态薄膜中的Hf分布。HRTEM图像显示，厚度小于8 nm的薄膜中存在层状结构。ARXPS数据也揭示了Hf在薄膜深度上的非均匀分布。MEIS观测到，经过较长时间退火后，SiO_2向薄膜表面扩散。所有这些观测结果为赝二元(HfO_2)_x(SiO_2)_{1-x}合金体系中的表面诱导旋节分解提供了证据。
引用
@article{arxiv.1009.4946,
title = {Surface-directed spinodal decomposition in the pseudobinary alloy (HfO_2)_x(SiO_2)_{1-x}},
author = {J. Liu and X. Wu and W. N. Lennard and D. Landheer and M. W. C. Dharma-Wardana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.4946},
year = {2010}
}
备注
1o figures, one table