衬底表面对旋涂生长宽禁带SnO2薄膜的影响
材料科学
2023-01-31 v2 应用物理
化学物理
摘要
通过采用两种不同工艺条件，由SnCl2·2H2O前驱体溶液合成了氧化锡（IV）（SnO2）溶胶。随后将所制备的溶胶通过旋涂沉积在紫外臭氧处理的石英和钠钙玻璃（SLG）衬底上。将合成后的薄膜在约100°C下软烘10分钟。此过程重复五次以获得致密薄膜，随后在250°C空气中退火2小时。利用UV-Vis-NIR光谱、掠入射X射线衍射（GIXRD）和场发射扫描电子显微镜（FESEM）对原始及退火薄膜进行表征。通过测量与去离子（DI）水的接触角来研究衬底表面的影响。衬底的紫外臭氧处理提供了更洁净的表面以生长均匀薄膜。采用电流反向技术的四探针共线法测量退火薄膜的电阻率，其值约为2×10^3至3×10^3 Ohm-cm。利用触针轮廓仪测得薄膜厚度约为137-285 nm。UV-Vis-NIR透射数据显示所有薄膜样品在可见光区最大透射率为82-89%。估算所得光学带隙：生长在SLG和石英衬底上的薄膜分别约为3.75-4.00 eV和3.78-4.35 eV。
引用
@article{arxiv.2209.09460,
title = {Effect of Substrate Surface on the Wide Bandgap SnO2 Thin Films Grown by Spin Coating},
author = {Md. Nur Amin Bitu and Nazmul Islam Tanvir and Suravi Islam and Syed Farid Uddin Farhad},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.09460},
year = {2023}
}
备注
7 pages, 4 figures