喷雾热解沉积 Sb-SnO2 薄膜的结构/微观结构、光学与电学性质研究
材料科学
2012-08-22 v1
摘要
本文研究了由 SnCl4 前驱体制备的、采用喷雾沉积的锑掺杂二氧化锡（SnO2）薄膜的结构、光学和电学性质随锑掺杂浓度的变化关系。掺杂浓度在 0 至 1.5 wt.% Sb 范围内变化。X 射线衍射图谱分析表明，沉积态的掺杂与未掺杂二氧化锡薄膜均为纯晶态四方金红石相二氧化锡，属于空间群 P42/mnm（编号 136）。场发射扫描电子显微镜（FESEM）的表面形貌检查表明，晶粒排列紧密，晶粒间的孔隙/空隙极少。沉积态薄膜的透射光谱在 200 至 1000 nm 波长范围内记录。观察到在初始添加 Sb（直至 [Sb]/[Sn] = 0.5 wt.%）时，薄膜的透射率从 57% 增加至 68%（在 800 nm 处），而在更高的锑掺杂水平（[Sb]/[Sn] > 0.5 wt.%）下透射率下降。未掺杂薄膜的方阻为 48 \Omega/sq，而锑掺杂薄膜的方阻降至 8 \Omega/sq。
关键词
引用
@article{arxiv.1208.4094,
title = {Structural/microstructural, optical and electrical investigations of Sb-SnO2 thin films deposited by spray pyrolysis},
author = {Sushant Gupta and B. C. Yadav and Prabhat K. Dwivedi and B. Das},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.4094},
year = {2012}
}
备注
28 pages, 12 figures, 2 tables, 47 references, communicated in MRB