基于 DFT 的 LDA 研究：调控 SnO 与 In 掺杂 SnO 的光学与电学性质
材料科学
2025-08-05 v1
摘要
本文在密度泛函理论（DFT）框架下的局域密度近似（LDA）中，计算了氧化亚锡的结构、电子和光学性质，以及铟（In）掺杂氧化亚锡的影响。计算得到的氧化亚锡中 Sn-O 键长为 2.285 埃，与实验值偏差大于 3%。In 掺杂氧化亚锡中的 Sn-O 和 In-O 键长分别计算为 2.3094 和 2.266 埃。有趣的是，纯氧化亚锡的带隙计算为 2.61 eV，而在 In 掺杂氧化亚锡的情况下显著下降至 2.00 eV。给出了氧化亚锡和 In 掺杂氧化亚锡薄膜的总态密度（DOS）、分态密度和电子密度。由于 In 掺杂，氧化亚锡的静态折射率值和介电函数实部分别从 1.9 降至 1.4、从 3.6 降至 1.97。因此，In 掺杂增强了氧化亚锡薄膜的性质，这可能使该材料在未来应用于开发电子和光电子器件。
引用
@article{arxiv.2307.03843,
title = {DFT Based LDA Study on Tailoring the Optical and Electrical Properties of SnO and In-Doped SnO},
author = {Mohammad Mahafuzur Rahamana and Md. Abdul Momin and Abhijit Majumdar and Mohammad Jellur Rahman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.03843},
year = {2025}
}