Sn1-xBixO2和Sn1-xTaxO2 (0 ≤ x ≤ 0.75)的第一性原理研究
材料科学
2015-05-30 v2
摘要
采用局域密度近似下的第一性原理赝势平面波方法，研究了掺杂Sn1-xBixO2和Sn1-xTaxO2 (0 ≤ x ≤ 0.75)的结构、弹性、电子和光学（x=0）性质。首次计算了这些化合物的独立弹性常数Cij和其他弹性参数。还研究了不同掺杂浓度下化合物的力学稳定性。计算了电子能带结构和态密度，并分析了掺杂对这些性质的影响。结果表明，未掺杂化合物的带隙随掺杂浓度增加而变窄，对于Bi掺杂在x=0.26时消失，对于Ta掺杂在x=0.36时消失。因此，通过改变化合物的电子性质，这些材料在x≤0.75时成为导电氧化物，可能具有潜在应用价值。将未掺杂SnO2在两个偏振方向上的计算光学性质（如介电函数、折射率、吸收光谱、损失函数、反射率和电导率）与先前的计算和测量结果进行了比较。关键词：掺杂SnO2；第一性原理；力学性质；电子能带结构；光学性质。
引用
@article{arxiv.1108.0245,
title = {Sn1-xBixO2 and Sn1-xTaxO2 (0 \leq x \leq 0.75): A first-principles study},
author = {M. A. Ali and A. K. M. A. Islam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.0245},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 5 figures, added 10 more references, comparison with mearements made