结构表征的SnxSb1-x晶体的激发态动力学
材料科学
2020-10-09 v1 强关联电子
超导电性
摘要
重金属合金的拓扑行为为令人难以置信的研究和未来技术开辟了广阔领域。在此，我们扩展了之前关于Sn0.4Sb0.6超导性质的报告，以及Sn和Sb在SnxSb1-x（X=0.5和0.6）中的成分变化，以研究详细的光学性质。生长晶体的结构和形态细节来自先前研究。此外，样品被2.61 eV的泵浦激发，在近红外区域使用0.77-1.54 eV的宽探测光进行瞬态反射超快研究(TRUS)测量。差分反射率曲线显示出前所未有的负值，并分析了这种负趋势的平均功率依赖性。本文不仅提供了样品中能带填充现象的证据，还表明随着平均功率的变化，激发载流子有明确的增加，从而增强了能带填充响应。还从这些研究中确定了带填充态和价态之间的带隙估计值。所研究的拓扑合金和类似材料的非线性特性和带隙分析有助于各种非线性光学应用的进步。
引用
@article{arxiv.2010.03942,
title = {Excited-state dynamics of structurally characterized crystal of SnxSb1-x},
author = {Prince Sharma and M. M. Sharma and Kapil Kumar and Mahesh Kumar and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.03942},
year = {2020}
}
备注
29 Pages Text + Figs