超导合金 Sn_{1-x}In_xTe 中的非平庸拓扑相
材料科学
2019-08-19 v1
摘要
尽管 SnTe 是一种能带反转的拓扑晶体绝缘体，但作为拓扑超导候选材料的合金 Sn_{1-x}In_xTe 的拓扑相迄今尚未被清晰研究。我们的计算表明，Sn_{1-x}In_xTe 的能带隙随 In 含量增加而减小，在 x>0.1 时变为金属。然而，在有隙和无隙相中，面心立方 L 点处的能带反转均得以保持。此外，计算得到的拓扑不变量显示出非平庸相，在 In 浓度为 x=0.03125、x=0.125 和 x=0.25 时镜面陈数 n_M = -2。我们还在 Sn_{1-x}In_xTe 的 (001) 表面上识别出具有 +/- i 镜面本征值的两对拓扑保护态。这些拓扑态的特征受 In 掺杂影响。随着 In 含量 x 增加，狄拉克交叉点远离 L 点，且拓扑态的费米速度显著增大。我们的结果证明了超导材料 Sn_{1-x}In_xTe 的非平庸拓扑相，并提供了拓扑态性质的详细描述。
引用
@article{arxiv.1908.05967,
title = {Non-Trivial Topological Phase in the Sn_{1-x}In_xTe Superconductor},
author = {Tome M. Schmidt and G. P. Srivastava},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.05967},
year = {2019}
}