具有可能能带反转的In掺杂AgSnBiTe3中的超导性
超导电性
2021-11-15 v2 强关联电子
摘要
我们通过以Ag0.5Bi0.5部分替代Sn来研究SnTe基材料的化学压力对结构与电子性质的影响,这导致晶格收缩。对于Sn1-2x(AgBi)xTe,在较宽的x范围内获得了单相多晶样品。基于能带计算,我们确认Sn1-2x(AgBi)xTe体系基本具有能带反转且拓扑保护的电子态。为探索与拓扑电子态相关的新超导相,我们研究了x = 0.33 (AgSnBiTe3)时In掺杂对结构与超导性质的影响。对于(AgSnBi)(1-y)/3InyTe,通过高压合成在y = 0-0.5范围内获得了单相多晶样品。在y = 0.2-0.5时观察到超导性。对于y = 0.4,由零电阻态估算的转变温度为2.4 K,且比热研究确认了体超导的出现。由于理论上预测存在能带反转,且比热分析所得参数与In掺杂SnTe相当,我们预期(AgSnBi)(1-y)/3InyTe及其他(Ag,In,Sn,Bi)Te相是研究拓扑超导的候选体系。
引用
@article{arxiv.2109.07167,
title = {Superconductivity in In-doped AgSnBiTe3 with possible band inversion},
author = {Tsubasa Mitobe and Kazuhisa Hoshi and Md. Riad Kasem and Ryosuke Kiyama and Hidetomo Usui and Aichi Yamashita and Ryuji Higashinaka and Tatsuma D. Matsuda and Yuji Aoki and Takayoshi Katase and Yosuke Goto and Yoshikazu Mizuguchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.07167},
year = {2021}
}
备注
18 pages, 9 figures, supplemental data is included