掺杂拓扑晶体绝缘体 Sn_{0.96}In_{0.04}Te 中的自旋单态超导

In掺杂拓扑晶体绝缘体 Sn_{1-x}In_xTe 是拓扑超导体的候选材料，其中曾提出赝自旋三态。为了阐明 Sn_{1-x}In_xTe 的自旋对称性，我们在 $0< x <0.15$ 的多晶样品中进行了 ^{125}Te-核磁共振 (NMR) 测量。在多晶 Sn_{0.96}In_{0.04}Te 中，由 NMR 线宽计算得出的穿透深度在超导转变温度 ($T_c$) 的一半以下与温度无关，这表明存在一个完全打开的超导能隙。在该样品中，通过外磁场 $H_0 = 0.0872 T$ 下的自旋奈特位移 ($K_s$) 测得的自旋磁化率在 $T_c$ 以下降低，且 $K_s(T=0)/K_s(T=T_c)$ 达到 $0.36 \pm 0.10$，这远低于立方晶体结构中自旋三态所预期的极限值 2/3。我们的结果表明，多晶 Sn_{0.96}In_{0.04}Te 是一个自旋单态超导体。