双层SiX（X = N、P、As和Sb）的结构与电学性质
材料科学
2021-07-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本工作中，采用密度泛函理论（DFT）研究了双层SiX（X = N、P、As和Sb）的结构、电学和光学性质。每种化合物考虑了五种不同的堆垛序并给出了其结构性质。这些材料的能带结构表明它们是间接半导体。施加面外应变以调控带隙及其电学性质。带隙随拉伸应变增大，而压缩应变导致半导体到金属的相变。研究了带隙对压力的敏感性，双层SiSb表现出对压力最高的带隙敏感性。这些结构呈现墨西哥帽状价带色散，可由态密度中的奇点证实。墨西哥帽系数可由面外应变调控。这些化合物的光吸收表明，由于高态密度，第二及较低价带对光学跃迁贡献更高。
引用
@article{arxiv.2102.03563,
title = {Structural and Electrical Properties of Bilayer SiX (X= N, P, As and Sb)},
author = {Nayereh Ghobadi and Shoeib Babaee Touski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.03563},
year = {2021}
}