宽带隙二维半导体双层氧化硅中的色散带与半平带
材料科学
2021-05-07 v2
摘要
外延双层氧化硅是一种可转移的二维材料，被预测为宽带隙半导体，在深紫外光电子学或作为范德瓦耳斯异质结构的构建单元方面具有潜在应用。此类应用的任何前提都是对其电子能带结构的了解，我们通过角分辨光电子能谱揭示该结构，并借助密度泛函理论计算加以解释。我们发现与材料顶面和底面内电子离域相关的色散带，具有两个线性交叉，令人联想到双层 AA 堆垛石墨烯中的预测，以及源自两平面间化学桥的半平带。该能带结构在空气中暴露下稳健，并可通过氧气暴露调控。我们提供了 5 eV 的能隙尺寸实验下限估计，并利用密度泛函理论计算预测了 7.36 eV 的完整能隙。
引用
@article{arxiv.2011.14376,
title = {Dispersing and semi-flat bands in the wide band gap two-dimensional semiconductor bilayer silicon oxide},
author = {G. Kremer and J. C. Alvarez-Quiceno and T. Pierron and C. González and M. Sicot and B. Kierren and L. Moreau and J. E. Rault and P. Le Fèvre and F. Bertran and Y. J. Dappe and J. Coraux and P. Pochet and Y. Fagot-Revurat},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.14376},
year = {2021}
}