二维氧化锗中超宽隧穿带的平面带
材料科学
2025-10-29 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们采用第一性原理密度泛函理论（DFT）和玻姆-萨普方程（BSE）在基于紧束缚模型的 maximally localized Wannier 函数（MLWF-TB）框架中，研究了无限制的二维（2D）氧化锗相的电子和光学性质。所有被考察的 2D GeO2 多态结构都表现出超宽带隙和强激子效应，平坦的 O-p 导出价带在应变下可被调控。这些特征允许在低维系统中设计具有超大电子带隙的平面带材料，使其在比传统半导体材料更高的电压和温度下运行的器件具有前景。
引用
@article{arxiv.2510.24685,
title = {Flat bands in ultra-wide gap two-dimensional germanium dioxide},
author = {Rafael Franco Ribeiro Reis and Gabriel Elyas Gama Araujo and Danilo Kuritza and Alexandre Cavalheiro Dias and Andreia Luisa da Rosa and Renato Borges Pontes},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.24685},
year = {2025}
}