纯及混合锗和硅量子点的光学性质
介观与纳米尺度物理
2016-04-19 v1
摘要
我们利用高精度密度泛函理论 (DFT) 和含时 DFT (TDFT) 研究了氢钝化的硅、锗以及混合 Ge/Si 核/壳量子点 (QDs) 的光学性质。我们采用 Becke、Lee、Yang 和 Parr (B3LYP) 的杂化 DFT 泛函，结合高质量基组。正如我们在之前工作中所示，这种组合是进行此类计算的一种准确且计算高效的方法。正如预期的那样，混合量子点具有更强的通用性，并为带隙工程提供了更多可能性，其带隙值（电子和光学）介于相应的 Si 和 Ge 量子点之间。我们的结果支持了所有三类量子点的量子限域理论。
引用
@article{arxiv.1602.05367,
title = {Optical Properties of Pure and Mixed Germanium and Silicon Quantum Dots},
author = {Shanawer Niaz and Aristides D. Zdetsis and Manzoor Ahmad Badar and Safdar Hussain and Imran Sadiq and Muhammad Aslam Khan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.05367},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 5 figures, 2 tables