SnAs 的电子能带结构与超导性质
超导电性
2019-12-04 v1 材料科学
摘要
我们报告了对二元超导化合物 SnAs 物理性质的全面研究。利用宽结合能范围的角分辨光电子能谱（ARPES）和基于广义梯度近似（GGA）的密度泛函理论（DFT）研究了 SnAs 的电子能带结构。DFT/GGA 计算考虑了自旋-轨道耦合，针对体材料和 (111) 平板晶体结构进行。将 DFT/GGA 能带色散与 ARPES 数据比较表明，(111) 平板结构比单纯的体能带更好地描述了 ARPES 数据。通过比热、磁化率、磁输运测量和安德烈夫反射谱实验研究了 SnAs 的超导性质。发现超导能隙和比热的温度依赖性与具有各向同性 s 波序参量的单带 BCS 超导体所预期的一致。尽管 SnAs 中存在自旋-轨道耦合，我们的数据未显示任何潜在非常规超导电性的迹象，且特征 BCS 比值 非常接近弱耦合极限下的 BCS 值。
引用
@article{arxiv.1910.07426,
title = {Electronic Band Structure and Superconducting Properties of SnAs},
author = {P. I. Bezotosnyi and K. A. Dmitrieva and A. V. Sadakov and K. S. Pervakov and A. V. Muratov and A. S. Usoltsev and A. Yu. Tsvetkov and S. Yu. Gavrilkin and N. S. Pavlov and A. A. Slobodchikov and O. Yu. Vilkov and A. G. Rybkin and I. A. Nekrasov and V. M. Pudalov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.07426},
year = {2019}
}
备注
12 pages, 15 figures, 1 table