SnAs 单晶的 Andreev 反射谱研究
超导电性
2021-11-30 v1
摘要
SnT 族（T = As、Sb、Te、S、Se、P）二元化合物表现出超导性、拓扑保护态等新颖性质。其中部分化合物结晶为 NaCl 型结构或层状结构，二者均被认为对高温/非常规超导具有潜在重要性。此前研究表明，具有 NaCl 型结构的 K 掺杂 BaBiO 在 30 K 以下呈现超导态。SnAs 的晶体构型与 K 掺杂 BaBiO 完全类似，这值得对该材料的超导性进行研究。此前报道 SnAs 表现为弱耦合 I 类超导，能隙为 0.7 meV。近来电子能带结构计算暗示 SnAs 中可能存在拓扑保护态。这促使我们采用点接触 Andreev 反射谱研究 SnAs 的超导性质。我们的研究表明，SnAs 中的超导性可在弱耦合极限下的 BCS 框架内得到很好解释。
引用
@article{arxiv.2111.14425,
title = {Andreev reflection spectroscopy on SnAs single crystals},
author = {Sandeep Howlader and Nikhlesh Mehta and M. M. Sharma and V. P. S. Awana and Goutam Sheet},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.14425},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 4 Figures, 28 references