电子欠掺杂铁砷化物中体块 $T_c$ 以上的类 Andreev 反射增强
超导电性
2013-07-09 v1
摘要
我们使用点接触能谱（PCS）探测电子掺杂的 （）和空穴掺杂的 的超导特性。PCS 通过 Andreev 反射直接探测低能态密度，揭示了这两个化合物族中存在两个截然不同的超导能隙。除了电子欠掺杂的 之外，这些化合物的 Andreev 反射过剩电流遵循典型的 BCS 温度依赖关系。对于欠掺杂的 ，过剩电流的温度依赖关系偏离了 BCS 的行为，在较高温度下发展出一个尾部并延续至体块 以上。本文探讨了这种反常行为的可能解释。
引用
@article{arxiv.1307.1908,
title = {Andreev Reflection Like Enhancement Above Bulk $T_c$ in Electron Underdoped Iron Arsenides},
author = {H. Z. Arham and C. R. Hunt and J. Gillett and S. D. Das and S. E. Sebastian and D. Y. Chung and M. G. Kanatzidis and L. H. Greene},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.1908},
year = {2013}
}