Nodal Line 拓扑半金属候选物 TbSbTe 的电子结构
介观与纳米尺度物理
2025-08-13 v2 材料科学
摘要
LnSbTe 系列（Ln 为镧系元素）类似于等结构 ZrSiS 类化合物，成为探索电子关联与磁有序性与节拍线带拓扑相互作用的活跃场域。本文报道了对 TbSbTe 电子能带结构的详细研究，结合了电气传输、热力学和磁性研究。温度依赖的磁导率和热力学传输研究表明，抗磁有序性在 TN = 5.1 K 以下开始。利用高分辨率角度解析光子能谱（ARPES）测量辅以密度泛函理论（DFT）第一性原理计算，发现 GammaX 高对称方向上存在节拍线，形成围绕 Gamma 高对称点的菱形节拍面。还观察到一个强受光子能量依赖的节拍特征位于表面 Brillouin 区的 X 点处，表明沿 X R 方向延伸的节拍线。该研究阐明了对称性保护带特征、自旋轨道耦合、磁性和拓扑性质之间的复杂相互作用。
引用
@article{arxiv.2406.09054,
title = {Electronic Structure of a Nodal Line Semimetal Candidate TbSbTe},
author = {Iftakhar Bin Elius and Jacob F Casey and Sabin Regmi and Volodymyr Buturlim and Anup Pradhan Sakhya and Milo Sprague and Mazharul Islam Mondal and Nathan Valadez and Arun K Kumay and Justin Scrivens and Yenugonda Venkateswara and Shovan Dan and Tetiana Romanova and Arjun K Pathak and Krzysztof Gofryk and Andrzej Ptok and Dariusz Kaczorowski and Madhab Neupane},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.09054},
year = {2025}
}
备注
23 pages, 17 figures, Supplemental Materials included