用于自旋电子学的拓扑反铁磁半金属：以层状方网系统 EuZnSb$_2$ 为例
材料科学
2022-12-21 v1 强关联电子
摘要
我们使用第一性原理和有效哈密顿量方法研究最近合成的层状反铁磁方网拓扑半金属 EuZnSb [1] 的电子结构与磁性质。本文的主要结论是，由磁有序产生的能带结构的微小变化以及 \Neel 矢量方向的变化，在诸如自旋霍尔电导率等输运性质中被放大。我们预测，由 \Neel 矢量有序引入的对称性破缺效应在块体中非常微弱，但在表面电子色散中表现明显，表明表面探测可能更适合测量它们。磁性与许多其他竞争相的共存使该材料引人关注，并可能用于量子自旋电子学应用。
引用
@article{arxiv.2206.04233,
title = {Topological Antiferromagnetic Semimetal for Spintronics: A Case Study of a Layered Square Net System EuZnSb$_2$},
author = {Niraj Aryal and Qiang Li and A. M. Tsvelik and Weiguo Yin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.04233},
year = {2022}
}
备注
16 pages