砷化锑：SbAs 化合物中的化学有序

半金属 V 族元素由于存在较小的间接能带重叠，导致在费米能级处具有数量相对较少但相等的空穴和电子，且迁移率较高，因而展现出丰富的关联电子现象。它们的电子成键特性产生了一种独特的晶体结构，即菱方 A7 结构，该结构可容纳每个位点上的孤对电子。在此，我们表明 A7 结构可以表现出 Sb 和 As 的化学有序，而此前人们认为它们是随机混合的。我们通过对 SbAs 化合物进行单晶和高分辨率同步辐射 X 射线衍射，以及中子和 X 射线对分布函数分析，完成了结构表征。所有最小二乘法精修结果均表明 Sb 和 As 存在有序排列，形成了无反演对称性的 GeTe 型结构。高温衍射研究揭示了约 550 K 处存在一个有序化转变。输运和红外反射率测量，结合第一性原理计算，证实 SbAs 是一种半金属，尽管其直接能带分离大于 Sb 或 As。由于半金属中即使微小的取代（ notably Bi_{1-x}Sb_x）也能打开半导体能隙，因此有必要进一步研究 A7 晶格上化学有序与电子结构之间的相互作用。