利用光电子能谱研究 UTe$_2$ 的电子结构
强关联电子
2019-09-13 v2
摘要
利用软 X 射线同步辐射的共振光电子能谱(RPES)和角分辨光电子能谱(ARPES)研究了非常规超导体 UTe 的电子结构。通过 -- RPES 成像了 UTe 的偏 态密度,发现 态具有巡游特性,但由于强电子关联效应存在非相干峰。此外,在较高结合能处观察到 态向 能带的反常混入,这是能带结构计算无法解释的。另一方面,通过 ARPES 获得了 UTe 的能带结构,其整体能带结构基本可由能带结构计算解释。这些结果表明,UTe 的 态具有巡游但强关联的性质,并与 态的杂化增强。
引用
@article{arxiv.1908.09418,
title = {Electronic Structure of UTe$_2$ Studied by Photoelectron Spectroscopy},
author = {Shin-ichi Fujimori and Ikuto Kawasaki and Yukiharu Takeda and Hiroshi Yamagami and Ai Nakamura and Yoshiya Homma and Dai Aoki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.09418},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 7 figures