基于光子能谱的 UGe$_{2\pm x}$ 薄膜电子结构
强关联电子
2026-04-23 v2
摘要
铀二锗化合物 UGe，作为首个铁磁超导体，代表了 U-5 状态主导的 U-Ge 体系中的关键组成。为考察受控化学计量偏差对电子结构的影响，我们通过三极放电溅射制备了 UGe 薄膜 ()，并通过 X 射线 (XPS) 和紫外线 (UPS) 光子能谱在原纯表面上进行表征。XPS 和 UPS 显示，UGe 薄膜具有以 U-5 贡献为主的费米能级处金属价带，以及较高结合能处的宽广非相干特征，整体谱线形状在化学计量范围内保持无实质变化。实验得到的 UGe 薄膜谱线可被 DFT+U(ED) 价带计算所良好再现，这些计算将密度泛函理论与多配置 U-5 壳的精确对角化相结合。结果表明，UGe 薄膜的整体 U-Ge 电子结构框架对中等程度的化学计量偏差保持韧性，为未来研究铀基系统中界面及异质结构现象提供了可靠的电子基线。
引用
@article{arxiv.2601.03902,
title = {Electronic Structure of UGe$_{2\pm x}$ Thin Films from Photoelectron Spectroscopy},
author = {Sonu George Alex and Oleksandr Romanyuk and Ivan Zorilo and Alexander Andreev and Frank Huber and Thomas Gouder and Petr Malinsky and Maliha Siddiqui and Alexander B. Shick and Evgenia A. Tereshina-Chitrova},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.03902},
year = {2026}
}