用于无锌BEOL电子器件的ALD W掺杂SnO$_2$ TFTs
应用物理
2026-04-14 v1 材料科学
摘要
本工作报告了兼容后端工艺（BEOL）的薄膜晶体管（TFT）器件，其在150°C下通过原子层沉积（ALD）制备亚10 nm掺杂钨氧化锡（TWO）通道。 investigated undoped SnO、undoped WO和浓度为5%和10% W掺杂SnO的TFTs。浓度为10%的W掺杂TFT表现出最佳的电荷控制和整体器件性能。经后制造O退火（300°C，5分钟）显著提升器件特性：亚阈值开关（SS）降低近乎2倍，I/I比从提升至，滞后现象降低近乎3倍，正偏置应力引起的阈值位移降低超过2倍，降至4 MV/cm应力场下93 mV。采用Ginestra进行的动力学蒙特卡罗模拟支持实验观察，并将偏置不稳定性归因于栅介质内的电荷捕获以及界面处的捕获。该工作表明，低温ALD制备的TWO TFTs作为一种前景光亮的无锌平台，适用于BEOL和单片3D集成。
引用
@article{arxiv.2604.11333,
title = {ALD W-Doped SnO$_2$ TFTs for Indium-Free BEOL Electronics},
author = {Mansi Anil Patil and Devarshi Dhoble and Shivaram Kubakaddi and Mamta Raturi and Marco A Villena and Gaurav Thareja and Saurabh Lodha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.11333},
year = {2026}
}