射频溅射氧化锑钒（SbVO4）薄膜的可控制备、表征与带隙调控
应用物理
2019-11-28 v1
摘要
本文报道了射频（RF）溅射氧化锑钒（SbVO4）薄膜及其表征。通过烧结 Sb2O3 与 V2O5 粉末的混合物制备了高纯度溅射靶材。在不同温度和氩/氧分压条件下，通过反应溅射沉积薄膜。应用多种光学与电化学表征技术研究了若干生长参数与表面化学。研究发现，SbVO4 表现出 1.89 eV 至 2.36 eV 范围的间接带隙，并具有在光照下驱动水氧化反应所需的价带位置。带隙严重依赖于薄膜的化学计量比，并可通过在等离子体环境中掺入可控量的氧气进行调控。设计并测试了优化的 SbVO4 光阳极用于光电化学水氧化催化。初步研究表明，这些电极在碱性介质中呈现 n 型催化行为。所制备的 SbVO4 薄膜典型厚度约为 400 nm，包含尺寸为 10-15 nm 的纳米颗粒。
引用
@article{arxiv.1911.12171,
title = {Controlled Preparation, Characterization, and Bandgap Modulation of RF Sputtered Antimony Vanadium Oxide (SbVO4) Thin Films},
author = {Tilak Poudel and Corey Grice and Yanfa Yan and Xunming Deng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.12171},
year = {2019}
}