纯VO2相薄膜的制备与电气性能
材料科学
2007-05-23 v2
摘要
我们通过激光剥离生长了VO2薄膜，用于电子器件应用。在获得纯VO2相薄膜时，氧气分压是关键参数，因为�Vanadium氧化物存在多个具有不同氧浓度的相。我们发现，纯VO2薄膜可在Ar+10% O2气氛中55-60 mTorr的窄范围内生长于Al2O3衬底上，当沉积压力略偏离最佳压力时，则会合成混合相薄膜。(100)取向的VO2薄膜在338K处发生突变金属-绝缘相转变，电阻变化可达10^4数量级。在相同温度下，混合相薄膜仅观察到较小的电阻变化。生长于SiO2/Si衬底上的多晶体薄膜表现出电阻的宽化金属-绝缘相转变。此外，当对薄膜施加电场时，观察到突变金属-绝缘相转变和金属中出现的集体电流运动。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311616,
title = {Fabrication and Electrical Properties of Pure VO2 Phase Films},
author = {B. G. Chae and D. H. Youn and H. T. Kim and S. Y. Maeng and K. Y. Kang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311616},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 6 figures