RuO2 上大应变 VO2 薄膜生长
材料科学
2020-03-06 v1 强关联电子
摘要
应变工程二氧化钒薄膜是改变该材料从半导体到金属的特征一级相变的一种方法。在本研究中,我们利用 VO/RuO 体系沿金红石结构 c 轴出现的 8.78% 极大晶格失配来拓展可利用的应变区间。我们通过原子氧辅助反应式 MBE 在两种不同表面取向的单畴 RuO 岛上生长了 VO 薄膜。这些薄膜经空间分辨光电子能谱和 X 射线吸收谱检测,确认了正确的化学计量比。低能电子衍射随后揭示 VO 薄膜确实在 RuO(110) 上完全应变生长,呈现出此前未报道的 () 重构。在 TiO(110) 衬底上,我们重现了该重构并将其归因于高氧化学势引起的富氧终止。另一方面,在 RuO(100) 上薄膜完全弛豫生长。因此,所提出的生长方法可同时获得从类块体结构到极大应变区域的显著应变窗口。
引用
@article{arxiv.2003.02723,
title = {Massively strained VO2 thin film growth on RuO2},
author = {Simon Fischer and Jon-Olaf Krisponeit and Michael Foerster and Lucia Aballe and Jens Falta and Jan Ingo Flege},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.02723},
year = {2020}
}
备注
12 pages, 6 figures. To be published in Crystal Growth & Design