VO2纳米片：通过应变工程调控THz性质
强关联电子
2015-03-19 v1 材料科学
摘要
我们通过在(100)R TiO2衬底上的外延生长，研究了应变工程二氧化钒纳米片的远红外性质。该纳米片表现出大的单轴应变，导致沿金红石c轴产生高度均匀且定向的裂纹。无论是在金属-绝缘体相变温度（沿cR轴不同于结构相变温度）还是金属态电导率方面，都出现了显著的各向异性。详细分析揭示了沿金红石cR轴的类Mott-Hubbard行为。
引用
@article{arxiv.1112.1573,
title = {VO2 nanosheets: controlling the THz properties through strain engineering},
author = {Elsa Abreu and Mengkun Liu and Jiwei Lu and Kevin G. West and Salinporn Kittiwatanakul and Wenjing Yin and Stuart A. Wolf and Richard D. Averitt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.1573},
year = {2015}
}