范德华异质结器件的单轴应变连续可调控制

单轴应变作为一种强大的工具，已被广泛应用于研究和控制量子材料的性质。然而，现有的应变技术迄今主要局限于体晶体。尽管在将应变应用扩展至二维范德华异质结方面取得了最新进展，但这些技术仍局限于光学表征和极其简单的电子器件几何结构。在此，我们报告了一种基于压电的 \textit{in situ} 单轴应变技术，能够对双栅极 vdW 异质结器件同时进行电学输运和光学光谱表征。至关重要的是，我们的技术仍与在常规硅/二氧化硅晶圆衬底上制备的任意复杂度的 vdW 异质结器件兼容。我们证明了在毫开尔文温度下可实现高达 $-0.15\%$ 的大范围连续可调应变，且更大的应变值也有可能实现。我们量化了从硅晶圆到 vdW 异质结的应变传递，并进一步证明了应变改变扭曲双层石墨烯电子性质的能力。我们的技术提供了一种高度通用的新方法，用于探索单轴应变对 vdW 异质结电学和光学性质的影响，并且可以轻松扩展以包含其他表征技术。