用于纳米尺度量子电路的紧凑型氧化铬薄膜电阻器

C. R. Nash; J. C. Fenton; N. G. N. Constantino; P. A. Warburton

doi:10.1063/1.4901933

用于纳米尺度量子电路的紧凑型氧化铬薄膜电阻器

介观与纳米尺度物理 2015-06-22 v1 材料科学

作者: C. R. Nash , J. C. Fenton , N. G. N. Constantino , P. A. Warburton

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摘要

我们报告了一系列通过直流溅射生长的氧化铬薄膜的电学表征结果，以评估其作为纳米电子学片上电阻器的适用性。通过增加氧掺杂水平，氧化铬薄膜的室温方块电阻在 28 $\Omega / \square$ 至 32.6k $\Omega / \square$ 之间变化。研究了冷却至液氦温度 4.2K 时电阻的变化；4.2K 时的方块电阻随成分不同从 65 $\Omega / \square$ 变化至超过 20G $\Omega / \square$ 。所有测量的薄膜在所有测量温度下均表现出欧姆行为。对于使用铌 - 硅纳米线进行量子相位滑移测量的片上器件，需要铌 - 硅与氧化铬之间的界面。通过表征界面接触电阻，我们发现金中间层更为有利：氧化铬 - 金界面的比接触电阻率为 0.15 m $\Omega$ cm $^2$ ，远低于氧化铬直接与铌 - 硅界面的 65m $\Omega$ cm $^2$ 。我们得出结论，这些氧化铬薄膜适合作为高阻值电阻器用于纳米尺度电路，其电阻率可通过氧含量进行调节。

关键词

氧化铬薄膜纳米尺度量子电路方块电阻欧姆行为接触电阻氧掺杂直流溅射

引用

@article{arxiv.1407.8467,
  title  = {Compact chromium oxide thin film resistors for use in nanoscale quantum circuits},
  author = {C. R. Nash and J. C. Fenton and N. G. N. Constantino and P. A. Warburton},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1407.8467},
  year   = {2015}
}

用于纳米尺度量子电路的紧凑型氧化铬薄膜电阻器

摘要

关键词

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