用于库仑阻塞器件的超高阻微带线电阻

本文报道了由弱氧化钛薄膜制成的极高阻值微带电阻的制备与低温表征。对于薄层电阻率高达约$\sim \unit[7]{k\Omega}$的薄膜，在温度低至$T \sim \unit[20]{mK}$时测量到近乎线性的电压-电流特性，这比我们先前对弱氧化铬的研究结果高出约一个数量级。我们的分析表明，这种改进有助于为不同的库仑阻塞器件创造一个有利的高阻抗环境。本工作所涉及的钛薄膜的其他特性显示，当这些电阻应用于量子电流标准的不同实现方案时，有望表现出低噪声行为。