用于极低温电阻测温的氮化铌薄膜
应用物理
2019-09-04 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了基于金属-绝缘体转变（氮化铌）材料的薄膜电阻测温法，其工作温度可低至极低温。NbN温度计电阻随温度和磁场的变化已进行标定。通过高效的电阻温度系数，展示了在温度变化的检测中具有高灵敏度。氮化铌薄膜的氮含量可调，以调整最佳工作温度范围。在本实验中，我们通过在不同低温应用场景中的使用，展示了NbN薄膜技术的多用途性。我们证明薄膜电阻测温可扩展至30 mK以下，且具有低电阻抗。
引用
@article{arxiv.1907.08443,
title = {Niobium nitride thin films for very low temperature resistive thermometry},
author = {Tuyen Nguyen and Adib Tavakoli and Sebastien Triqueneaux and Rahul Swami and Aki Ruhtinas and Jeremy Gradel and Pablo Garcia-Campos and Klaus Hasselbach and Aviad Frydman and Benjamin Piot and Mathieu Gibert and Eddy Collin and Olivier Bourgeois},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.08443},
year = {2019}
}
备注
Article accepted for publication in JLTP