硅钼低电阻薄膜电阻器用于低温器件
超导电性
2024-06-18 v1
摘要
我们报道了一种用于NbN器件的低温运行的硅钼薄膜电阻器研究。关键步骤是对NbN进行0.5-1.5 keV离子清洗-激活处理，然后沉积Mo层，以获得高品质的Mo/NbN界面；并在接触垫片区域加入额外的铝带，可将接触电阻降低到1欧伏以下。通过透射电子显微镜和X射线反射率确认了界面质量。
引用
@article{arxiv.2406.11329,
title = {Molybdenum low resistance thin film resistors for cryogenic devices},
author = {Yu P Korneeva and M A Dryazgov and N V Porokhov and N N Osipov and M I Krasilnikov and A A Korneev and M. A. Tarkhov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.11329},
year = {2024}
}