抗磁场的高动力学电感氮化铌共面波导谐振器

我们表征了氮化铌（NbN）$\lambda/2$ 共面波导谐振器，其由溅射沉积在二氧化硅上、厚 10nm 的薄膜制备而成。对于在 120{\deg}C 下生长的薄膜，我们报道了 7.4K 的超导临界温度，对应 1k$\Omega$ 的正常方阻，从而得到 192pH/$\Box$ 的动力学电感。我们制备了特征阻抗高达 4.1k$\Omega$、在零磁场单光子 regime 下内品质因子 $Q_\mathrm{i} > 10^4$ 的谐振器。此外，在多光子 regime 下，谐振器表现出高磁场韧性，在 6T 面内磁场以及 300mT 面外磁场中均有 $Q_\mathrm{i} > 10^4$。这些发现使此类谐振器成为涉及在有限磁场下运行、具有小电偶极矩量子系统的 cQED 实验的引人注目选择。