阳极氧化铌纳米结构中的库仑阻塞效应
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
使用电子束光刻和涉及四层抗蚀剂体系的剥离工艺制备了铌薄膜纳米结构。将长度为微米级、宽度低于200纳米的导线沉积在绝缘衬底上，随后通过阳极氧化进行减薄。导线的电阻被原位监测，并可通过控制阳极氧化电压和时间进行微调。该方法似乎适用于制造用作单电子器件偏置电阻的非常小的电阻器。在毫开尔文温度下测量了这些电阻器的输运特性。它们在零偏压附近具有非线性电流-电压特性，并显示出从超导到绝缘行为的转变。对偏置电压的分析表明，当薄膜的方块电阻超过超导量子电阻（约6.45 kΩ）时，库仑阻塞开始出现。通过结合铌的斜角蒸发和阳极氧化，制备了具有两个可变厚度弱连接的类单电子晶体管几何结构的样品。在这些样品上沉积了重叠的栅电极。漏源电流-电压特性可以通过栅电压进行调制，给出了典型的多重超小隧道结系统的响应。论文包含一个五页的附录，其中包含光刻工艺配方。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9710037,
title = {Coulomb blockade effects in anodised niobium nanostructures},
author = {Torsten Henning},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9710037},
year = {2007}
}
备注
Licentiate thesis, 85 pages, LaTeX2e, epsfig (30 EPS figures)