基于原子力显微镜制备的阳极氧化纳米桥的铌与氮化铌 SQUIDs
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1 超导电性
摘要
我们提出了一种基于原子力显微镜（AFM）直写光刻技术制备超导量子干涉器件（SQUIDs）的方法。该技术涉及利用 AFM 的电压偏置针尖，对 Nb 或 NbN 超薄膜进行无掩模局部阳极氧化。所制备的 SQUIDs 属于弱连接型，我们测试了两种几何结构：Dayem 型和变厚度纳米桥。我们全面测量了不同弱连接几何结构和两种测试材料下所得 SQUIDs 的最大超导电流 (flux) 随磁场的变化关系。研究发现，(flux) 曲线的调制形状与深度极大地依赖于弱连接的尺寸。我们在考虑纳米桥动电感并使用 Likharev-Yakobson 模型的基础上对结果进行了分析。最后我们表明，该技术目前达到的分辨率（20nm）使我们能够制备出行为接近理想 Josephson 结的 Nb 弱连接。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111350,
title = {Niobium and niobium nitride SQUIDs based on anodized nanobridges made with an Atomic Force Microscope},
author = {M. Faucher and T. Fournier and B. Pannetier and C. Thirion and W. Wernsdorfer and J. C. Villegier and V. Bouchiat},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111350},
year = {2009}
}
备注
22 pages, 8 figures