采用原子力显微镜光刻制备的 MgB2 射频超导量子干涉器件
超导电性
2011-04-12 v2
摘要
本文提出了一种在 MgB2 薄膜上制备射频超导量子干涉器件(rf SQUID)的新方法。该变厚度桥区通过光学光刻与原子力显微镜刮擦相结合的方式制备而成。该纳米桥区在 4.2 K 下的临界电流为 0.35 μA。我们对所制备的结构进行了电流-相位特性以及临界电流随温度变化关系的非接触测量研究。
关键词
引用
@article{arxiv.0705.4140,
title = {MgB2 radio-frequency superconducting quantum interference device prepared by atomic force microscope lithography},
author = {M. Gregor and T. Plecenik and M. Prascak and R. Micunek and M. Kubinec and V. Gasparik and M. Grajcar and P. Kus and A. Plecenik},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.4140},
year = {2011}
}
评论
RevTeX4. Accepted in Appl. Phys. Lett