多晶CoFeB薄膜中的电阻极小值与导电机制
材料科学
2016-08-10 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
分析了不同厚度的多晶铁磁 CoFeB 薄膜中随温度变化的电阻 ()，考虑了多种电散射过程。我们在 () 曲线中观察到低于 29 K 的电阻极小值，这可解释为颗粒体系中晶粒间库仑相互作用的效应。随着薄膜厚度减小，结构与库仑相互作用相关的散射过程贡献增大，意味着无序和颗粒性的作用。尽管与前两者相比，磁对电阻的贡献最弱，但它是唯一与厚度无关的过程。相反，电阻的负温度系数可由无序非晶薄膜中的电子相互作用效应解释。
引用
@article{arxiv.1505.05711,
title = {Resistance minimum and electrical conduction mechanism in polycrystalline CoFeB thin films},
author = {G. Venkat Swamy and P. K. Rout and Manju Singh and R. K. Rakshit},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.05711},
year = {2016}
}