Co 掺杂 Ba-122 中的电阻率：薄膜与单晶的比较
超导电性
2015-06-19 v2
摘要
分析了外延 Ba(Fe_(1-x)Co_x)_2As_2 薄膜（名义掺杂 x = 0.08, 0.10 和 0.15）电阻率的温度依赖性，并与文献中单晶的类似测量结果进行了比较。即使钴含量相同，薄膜的 ρ(T) 看起来也与单晶的不同。所有 ρ(T) 曲线均可通过考虑一个有效的双带模型（包含空穴带和电子带）来拟合，其中电子与玻色子（自旋涨落）的耦合比空穴更强，而杂质的影响主要集中在空穴带。在此模型中，媒介玻色子在单晶和薄膜中具有相同的特征能量，但低能输运势谱函数的形状必须非常不同，导致薄膜中电子-玻色子谱函数“硬化”，这与衬底引起的应变有关。
引用
@article{arxiv.1403.0815,
title = {Resistivity in Co-doped Ba-122: comparison of thin films and single crystals},
author = {G. A. Ummarino and Sara Galasso and Paola Pecchio and D. Daghero and R. S. Gonnelli and F. Kurth and K. Iida and B. Holzapfel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.0815},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 4 figures