BaFe2As2 超导薄膜间接与直接电子掺杂的等效效应
超导电性
2012-05-01 v2
摘要
通过非平衡薄膜生长工艺，实现了通过用异价离子取代 Ba 位点对 122 型铁砷化物 BaFe2As2 进行电子掺杂（间接掺杂），而传统的固相合成方法未能成功实现。由于 La3+ 的离子半径小于 Ba2+，c 轴晶格参数的系统性收缩证实了 La 的取代。负的霍尔系数表明多数载流子为电子，这与该异价离子掺杂一致。La 取代抑制了反铁磁相变，并在最大起始临界温度 () 为 22.4 K 时诱发了体超导性。构建了 (Ba1-xLax)Fe2As2 的电子相图，结果显示，在 Ba 位点用 La 进行的间接电子掺杂 [(Ba1-xLax)Fe2As2] 表现出与在 Fe 位点用 Co 进行的直接电子掺杂 [Ba(Fe1-xCox)2As2] 几乎相同的 -掺杂水平关系。这一发现阐明，122 型化合物中的 不受晶体学掺杂位点的影响，这与 1111 型化合物 REFeAsO (RE = 稀土) 形成鲜明对比。这暂时归因于其电子结构维度和电子配对对称性的差异。
引用
@article{arxiv.1110.0045,
title = {Identical effects of indirect and direct electron doping of superconducting BaFe2As2 thin films},
author = {Takayoshi Katase and Soshi Iimura and Hidenori Hiramatsu and Toshio Kamiya and Hideo Hosono},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.0045},
year = {2012}
}