薄金属薄膜的电阻率
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
纯样薄金属薄膜的电阻率会取决于边界条件。这一结论得到了自由电子模型计算和ab initio相对论Korringa-Kohn-Rostoker计算的支持。对于自由悬浮薄膜(反射边界条件)，在低温下电阻率为零，但当薄膜被夹在两个相同材料的半无限样品之间(发射边界条件)时，电阻率为非零。在后一种情况下，电阻率随单层数成反比，这种电阻率源于有限晶格的背景扩散散射。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9911093,
title = {Electrical Resistivity of a Thin Metallic Film},
author = {Horacio E. Camblong and Peter M. Levy},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9911093},
year = {2007}
}
备注
20 pages. To be published in Physical Review B, December 15, 1999