中文

锰氧化物薄膜的输运性质

强关联电子 2007-05-23 v1

摘要

在宽温度范围内研究了 La0.7A0.3MnO3La_{0.7}A_{0.3}MnO_{3} (A=Ca,SrA=Ca, Sr) 薄膜的电阻率。比较了采用不同技术并在多种衬底上生长的薄膜的电阻率,从而得以分析具有不同无序度的样品。在低温近半金属铁磁态下,对于中等无序强度,电阻率的主要贡献按 TαT^{\alpha} 标度,其中 α2.5\alpha \simeq 2.5,这支持了在存在由无序定域的少数自旋态情况下的单磁子散射理论。对于大无序值,低温电阻率行为很好地由反常单磁子散射过程所特有的 T3T^{3} 律描述,而在低无序区域,α\alpha 指数趋于接近 2 的值。在高温绝缘顺磁相,电阻率表现出极化子载流子所特有的激活行为。最后,在整个温度范围内,实验数据被发现与相分离图像一致,在掺锶 (A=SrA=Sr) 的薄膜中也是如此。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0410743,
  title  = {Transport properties in manganite thin films},
  author = {S. Mercone and C. A. Perroni and V. Cataudella and C. Adamo and M. Angeloni and C. Aruta and G. De Filippis and F. Miletto and A. Oropallo and P. Perna and A. Yu. Petrov and U. Scotti di Uccio and L. Maritato},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410743},
  year   = {2007}
}

备注

5 figures