CMR锰氧化物中的磁子散射过程和低温电阻率
强关联电子
2009-10-31 v1 材料科学
摘要
研究了CMR锰氧化物的低温电阻率。在基态，传导电子是完全自旋极化的，这被称为半金属。从单磁子散射过程出发，讨论了半金属的电阻率随温度的变化标度为rho(T) - rho(0) propto T^3。我们以(Nd,Tb,Sr)MnO_3为例来比较理论和实验。结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0009036,
title = {Magnon scattering processes and low temperature resistivity in CMR manganites},
author = {N. Furukawa and Y. Shimomura and T. Akimoto and Y. Moritomo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0009036},
year = {2009}
}
备注
To appear in Proc. ICM 2000