半金属中非常规的单磁子散射电阻
强关联电子
2009-10-31 v2
摘要
研究了半金属的低温度电阻率。迄今讨论认为，由于基态下完全自旋极化的电子结构，半金属中的单磁子散射过程对低温电阻率无关。然而，若考虑有限温度下因自旋涨落导致的少数自旋能带的非刚性带行为，则非常规的单磁子散射过程被证明是最相关的，并给出电阻率的 T^3 依赖。该行为可用作寻找对应用潜在重要的半金属材料的关键判据。与作为半金属候选的 La_1-x Sr_x MnO_3 电阻率数据比较显示良好一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9907363,
title = {Unconventional one-magnon scattering resistivity in half metals},
author = {Nobuo Furukawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9907363},
year = {2009}
}
备注
4 pages, including 5 eps figures. To be published in J. Phys. Soc. Jpn. vol. 69 No. 7 (2000)